存储卡参阅规划——MK品牌 SD NAND

  即便主机运用SD NAND SD形式下的1位形式，主机也应经过上拉电阻上拉一切的DATO-3线Ω。

  VDD（VCC_3V3）主张独自供电，且必需求分外留意供给SD NAND电流供电才能不小于200mA。

  3、下图是SD协议规则的上电标准，SD NAND的作业电压规模是2.7V-3.6V：

  芯片能正常上电初始化，电压要在0.5V以下至少1ms；电源上升的时分需求坚持电源是安稳的、持续上升的，上升到正常作业电压的时刻是0.1ms-35ms；主机封闭电源时，将卡的VDD降至0.5伏以下的最小周期为1ms。在断电期间，DAT, CMD和CLK应断开衔接或由主机驱动到逻辑0，以防止作业电流经过信号线引出的状况。

  线，尽可能进行包地处理。关于走线、SD NAND芯片最好接近主控芯片放置，以削减走线散布,其间同名网络 layout 时能够衔接在一起，便利后续替换物料时兼容 LGA6.0×8mm，LGA6.6×8.0mm封装(如下图)。

  1、保存要求：若购买散包装，请必须上线小时。若物料没有悉数运用，剩下部分请必须存放于氮气柜或抽真空保存，再次上线、贴装次序：若

  3、焊接：LGA/BGA的封装基板是PCB原料，Pad坐落底部，比较TSOP、WSON等金属结构封装，在焊接上更有难度，有条件的尽可能挑选液体锡膏和加热台，没有加热台的能够用风枪，风枪温度别超越 350℃。

  解焊:尽可能挑选加热台，若一定要运用风枪，主张风枪温度控制在 350℃，30秒以内。

  4、回流焊SD NAND回流焊的最高温度若运用无铅焊锡不能超越 260℃(无铅焊锡),若运用无铅焊锡不能超越 235℃，在此峰值温度下，时刻不能超越10s.炉温曲线设置可参阅 IPC-JEDEC J-STD-020规则要求: